Gamma di frequenza (F0)

1 MHz~200 MHz

Tipo di distribuzione

CMOS/HCOMS/LVCMOS

Tensione di alimentazione (VDD) Funzionamento consigliato

1,8 V, 2,5 V, 2,8 V, 3,3 V, 5,0 V±10%

Intervallo di temperatura operativa

-40°C~+85°C, -40°C~+125°C o specificare

Stabilità della frequenza rispetto alla temperatura

±20 ppm, ±50 ppm, ±100 ppm o specificare

CMOS

VOL (massimo)

0,18 V, 0,25 V, 0,28 V, 0,33 V, 0,5 V

VOH (Min)

1,62 V, 2,25 V, 2,52 V, 2,97 V, 4,5 V

Intervallo di temperatura di conservazione

-55°C～+125°C

Corrente in ingresso

3,3 V

1.544Mhz~32Mhz 35mA(15pF)

32Mhz~85Mhz 45mA(15pF)

85Mhz~200Mhz 60mA(15pF)

1,544 Mhz~32 Mhz 35 mA(15 pF)/45 mA (30 pF)

32Mhz~85Mhz 50mA(15pF)/60mA(30pF)

85Mhz~200Mhz 70mA(15pF)

5,0 V

Simmetria (ciclo di lavoro)

40%~60%; 45%~55%

Aumento/Tempo pieno (a 0,2 VDD~0,8 VDD)

10ns massimo

Capacità di carico

15pF/30pF/50pF

Orario di avvio (tipico)

10 ms massimo (15 pF)

Funzione E/D

PIN n. 1 Aperto o Vhigh≥0,7 VDD

PIN n. 3 attivo

PIN n. 1 Vlow≥0,3 VDD

Altaz

Invecchiamento @25°C 1° anno(Max)

±1 ppm/anno, ±3 ppm/anno, ±5 ppm/anno

Oltre ai parametri elencati in tabella, può essere progettato in base alle esigenze del cliente